栅极侧墙的技术办法与流程

技术田

本创造触及半导体田。,显著地指一种栅极侧墙的技术办法。

树立技术:

引渡的栅极侧墙技术包孕:摇动一、在硅衬底上使用物质的化学组成气相寄存品给人铺床多晶体硅,之后经过栅极电平的掩模状态感光性树脂计划。;之后蚀刻多晶体硅。,晶体管栅极的状态;摇动二、 用于网格的紧紧地热退火或炉管。,列举如下栅变成氧化的硅掩蔽体的状态。;摇动三、之后用沮丧物质的化学组成寄存品法使氮化硅和二变成氧化的硅寄存品。;还举行了普通的硅片蚀刻。,列举如下状态栅极侧墙;再用湿法衰败掉栅极侧隔阂和栅极顶部的二变成氧化的硅;摇动四、之后,做加法晶体管和钴筏流的源极和漏极。。

在引渡的栅极侧墙中,如图1所示,鉴于栅极侧墙1衰败的时分在过衰败及湿法奔流,形成栅极侧墙的阁下h2较低的栅极的阁下h1;在栅极顶部状态钴硅筏流2。,闸门顶部的含量计算将做加法。,这样,在栅极顶部的钴硅筏流2延伸到安博。,在通孔状态奔流中。,鉴于尝孔的3偏移,尝孔近的网格。;鉴于栅极侧墙不克不及对栅极顶部抚养十足的庇护及栅极顶部钴硅筏流向横向的延伸,尝孔与栅极暗中的间隔太小。,如图1所示,示出了虚线圆。,击穿伏特数变弱。。

技术应验基本的:

本创造所要处理的技术成绩分娩抚养一种栅极侧墙的技术办法,更好地的庇护栅,增强尝孔与栅极间的击穿伏特数。

处理是你这么说的嘛!成绩,本创造所述的栅极侧墙的技术办法,包孕:

摇动一,在硅衬底上状态多晶体硅,之后状态氮变成氧化的硅层。;

摇动二,网格级掩模状态的感光性树脂图形;之后衰败使氮化硅和多晶体硅。,晶体管栅极的状态;栅变成氧化的硅掩蔽体的状态;

摇动三,使氮化硅和二变成氧化的硅寄存品;还举行了普通的硅片蚀刻。,列举如下状态栅极侧墙;之后衰败栅极顶部的氮变成氧化的硅。;

摇动四,源-漏区Co—Si筏流的做加法与状态;状态衰败阻拦层和尝孔血管中层层,物质的化学组成机械修正;尝孔侵蚀。

增进地,第一步,物质的化学组成气相寄存品法用于多晶体硅和硅氧。

增进地,第一步,氮变成氧化的硅层的最适宜的厚度是Th的厚度。;最优的厚度为大于后续栅极侧墙使氮化硅的厚度。

增进地,摇动2,用于网格的紧紧地热退火或炉管。技术状态二变成氧化的硅掩蔽体。

增进地,摇动3,沮丧物质的化学组成法分解使氮化硅和二变成氧化的硅,栅顶氮变成氧化的硅的湿法衰败。

增进地,摇动4,物质的化学组成侵蚀阻拦层和尝孔介电层的物质的化学组成准备。

增进地,摇动4,尝孔的干法衰败。

本创造所述的栅极侧墙的技术办法,与引渡的栅极侧墙状态办法比拟,本创造状态的栅极侧墙有上级的的栅极侧墙阁下,或许在与栅极同阁下时有更厚的栅极侧墙,列举如下在尝孔衰败的时分更好地的庇护栅极,胜过了尝孔与栅极暗中的击穿伏特数。

本创造相对于引渡栅极侧墙状态办法,仅在寄存品栅极顶部添加氮变成氧化的硅层。,栅极顶部的氮变成氧化的硅可以用作GaAT的硬掩模。,这硬掩膜为栅极蚀刻抚养庇护。,状态较好的栅极形貌,独白,这缩减了栅极的感光性树脂的厚度。,硅片栅次元即使性较好。。

附图阐明

图1 引渡技术状态的网格和尝孔示意图。

图2~5 这是本创造的技术流程图。;

图6 这是本创造的技术流程图。。

附图用垂饰安装阐明

h1 栅格阁下,h2 侧墙阁下,1栅极侧墙,2钴硅筏流,3尝孔,4蚀刻屏蔽,5多晶体硅,6氮变成氧化的硅,7是栅变成氧化的层。。

详细使生效方法

本创造所述的栅极侧墙的技术办法,附图阐明列举如下。:

摇动一,如图2所示,采取物质的化学组成气相寄存品法在硅衬底上状态多晶体硅5,之后状态氮变成氧化的硅层。。氮变成氧化的硅层6的最适宜的厚度是厚度。;最优的厚度为大于后续栅极侧墙使氮化硅的厚度。

摇动二,网格级掩模状态的感光性树脂图形;之后衰败使氮化硅和多晶体硅。,晶体管栅极的状态;采取紧紧地热退火或炉管技术栅变成氧化的硅掩蔽体的状态7,如图3所示。

摇动三,用沮丧物质的化学组成寄存品的办法使氮化硅和二变成氧化的硅寄存品;还举行了普通的硅片蚀刻。,列举如下状态栅极侧墙1;再栅顶氮变成氧化的硅的湿法衰败;如图4所示。

摇动四,源-漏区Co—Si筏流的做加法与状态;蚀刻阻拦层4和尝孔介电层由CeM状态。,物质的化学组成机械修正;尝孔侵蚀状态尝孔3。如图5所示。

如图5所示,示出了虚线圆。,本创造状态的栅极侧墙有上级的的栅极侧墙阁下,或许在与栅极同阁下时有更厚的栅极侧墙,列举如下在尝孔衰败的时分更好地的庇护栅极,胜过了尝孔与栅极暗中的击穿伏特数。

过去的仅是本创造的优先权使生效例。,它不企图限度局限本创造。。为这侧面的工匠,本创造可以有各式各样的互换和互换。。在本创造的持久性和基本范围内。,作出任何的修正、相当于掉换、改善等。,应包孕在本创造庇护范围内。。

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